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Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe 2 TB
Autorisierter Händler
Wir sind autorisierter Samsung Händler und zertifiziert und geschult für den Vertrieb der Samsung Produkte.
Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe 2 TB
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- Vielseitig einsetzbar: Kompatibel mit PCIe® 4.0 x4 und PCIe® 5.0 x2
- Rasant durch den Alltag: Sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250 / 6.300 MB/s
- Effizienz für den täglichen Gebrauch: Um bis zu 73% verbesserte Energieeffizienz (MB/s per Watt) gegenüber der 990 EVO
- Konstante Performance: Smartes Temperatur-Management für durchgängig hohe Leistung
- Bewährte Zuverlässigkeit: 5 Jahre eingeschränkte Herstellergarantie
Varianten:
Auf Lager: Lieferung in 1-2 Werktagen
Für Geschäftskunden
- Rechnungskauf1
- Projektkonditionen
- Persönlicher Ansprechpartner
Artikelnr.:
n2000030265
Herstellernr.:
MZ-V9S2T0BW
EAN:
8806095575650
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Technische Daten
PDF-DatenblattAllgemein
Hersteller
Samsung
Herst.Art.Nr.
MZ-V9S2T0BW
EAN
8806095575650
Hauptmerkmale
Produktbeschreibung
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
2 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Gewicht
9 g
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
2 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1350000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1000000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
4.6 Watt (Lesen) 4.2 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Gehäusematerial
Nickelbeschichtung
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
Bewertungen
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